FET kependekan dari Field Effect Transistor (= Transistor
Efek-Medan). Seperti halnya transistor dan dioda FET termasuk komponen
semikonduktor. Kelebihan FET dibandingkan dengan transistor adalah:
- resistansi masukan
tinggi
- resistansi dalam tinggi
- penguatan besar
- desah rendah
FET mempunyai tiga
elektroda, yaitu gerbang (gate), sumber (source), dan cerat (drain).
Ada dua jenis FET,
yaitu FET kanal-N dan FET kanal-P.
Konstruksinya adalah sebagai berikut:
Pada beberapa FET antara D dan S terhadap G adalah
simetrik, tetapi karena alasan panas teknis kebanyakan FET adalah tidak
simetrik, sehingga D dan S tidak dapat dipertukarkan.
Sifat-Sifat FET
Seperti halnya
transistor, FET supaya dapat bekerja
harus diberi tegangan muka, caranya adalah:
- Pada FET kanal-N, cerat harus positif terhadap sumber dan
gerbang harus negatif terhadap sumber (peralihan gerbang-sumber diberi tegangan
terbalik).
- Pada FET kanal-P, cerat harus negatif terhadap sumber dan
gerbang harus positif terhadap sumber (peralihan gerbang-sumber diberi tegangan
terbalik).
Suatu sifat FET adalah, pada tegangan gerbang 0 V FET akan
menghantar kuat (ada arus cerat ID). Jika tegangan terbalik gerbang-sumber
diperbesar, maka FET akan berkurang menghantar (ID menjadi kecil). Pada tegangan
gerbang tertentu (yang disebut tegangan impit), maka FET akan tersumbat (tidak
ada ID).
Perbandingan antara perubahan arus cerat (ID) dan *
perubahan tegangan gerbang (UG) disebut kecuraman (S) dan dinyatakan dalam milisiemens
(mS).
Rumusnya: Makin besar nilai S, berarti makin besar penguatan FET. (Dapat ditandingkan dengan hFE pada transistor.)
Rumpun-rumpun FET
1. JFET kanal-N
Seperti telah dijelaskan di atas, JFET (Junction FET)
kanal-N gerbang dikemudikan dengan tegangan negatif. Makin negatif tegangan
gerbang, arus cerat makin kecil, dan sebaliknya. Tegangan gerbang tidak boleh
positif.
2. JFET kanal-P
Merupakan kebalikan dari JFET kanal-N. Pada FET ini gerbang
dikemudikan dengan tegangan positif. Makin positif tegangan gerbang, arus cerat
makin kecil.
Simbol:
3. MOSFET menghantar sendiri kanal-N.
MOSFET kependekan dari Metal Oxide Semiconductor FET. FET
ini mempunyai sifat seperti JFET kanal-N, tetapi tegangan gerbang dapat
dikemudikan baik negatif maupun positif. Makin negatif tegangan gerbang, arus
cerat makin kecil. Sebaliknya makin positif tegangan gerbang, arus cerat makin
besar.
4. MOSFET menghantar sendiri kanal-P.
Merupakan kebalikan dari MOSFET menghantar sendiri kanal-N.
simbol:
5. MOSFET menyumbat sendiri kanal N.
Merupakan kebalikan dari MOSFET menghantar sendiri kanal N.
FET ini dikemudikan dengan tegangan positif (tegangan muka maju). Makin besar.
tegangan gerbang, makin besar arus cerat. Tegangan gerbang 0 V, kanal akan
menyumbat (ID = 0). Supaya kanal menghantar diperlukan tegangan gerbang lebih
besar dari 5 V.
6. MOSFET menyumbat sendiri kanal-P.
Merupakan kebalikan dari MOSFET menyumbat sendiri kanal-N.
Simbol:
7. MOSFET menghantar sendiri kanal-N.
Memiliki dua gerbang (misalnya tipe BF 960). FET ini disebut
juga ”tetroda FET" atau FET gerbang dobel (dual-gate FET).
Simbol:
nice
ReplyDelete