Friday, May 4, 2018

Prinsip kerja FET (Field Effect Transistor)



FET kependekan dari Field Effect Transistor (= Transistor Efek-Medan). Seperti halnya transistor dan dioda FET termasuk komponen semikonduktor. Kelebihan FET dibandingkan dengan transistor adalah:
- resistansi masukan tinggi
- resistansi dalam tinggi
- penguatan besar
- desah rendah
FET mempunyai  tiga elektroda, yaitu gerbang (gate), sumber (source), dan cerat (drain).
Ada dua jenis FET, yaitu FET kanal-N dan FET kanal-P.
Konstruksinya adalah sebagai berikut:

Pada beberapa FET antara D dan S terhadap G adalah simetrik, tetapi karena alasan panas teknis kebanyakan FET adalah tidak simetrik, sehingga D dan S tidak dapat dipertukarkan.

Sifat-Sifat FET
Seperti  halnya transistor, FET supaya  dapat bekerja harus diberi tegangan muka, caranya adalah:
- Pada FET kanal-N, cerat harus positif terhadap sumber dan gerbang harus negatif terhadap sumber (peralihan gerbang-sumber diberi tegangan terbalik).
- Pada FET kanal-P, cerat harus negatif terhadap sumber dan gerbang harus positif terhadap sumber (peralihan gerbang-sumber diberi tegangan terbalik).

Suatu sifat FET adalah, pada tegangan gerbang 0 V FET akan menghantar kuat (ada arus cerat ID). Jika tegangan terbalik gerbang-sumber diperbesar, maka FET akan berkurang menghantar (ID menjadi kecil). Pada tegangan gerbang tertentu (yang disebut tegangan impit), maka FET akan tersumbat (tidak ada ID).
   Perbandingan antara perubahan arus cerat (ID) dan * perubahan tegangan gerbang (UG) disebut kecuraman (S) dan dinyatakan dalam milisiemens (mS).
Rumusnya:
Makin besar nilai S, berarti makin besar penguatan FET. (Dapat ditandingkan dengan hFE pada transistor.)

Rumpun-rumpun FET 

1. JFET kanal-N
Seperti telah dijelaskan di atas, JFET (Junction FET) kanal-N gerbang dikemudikan dengan tegangan negatif. Makin negatif tegangan gerbang, arus cerat makin kecil, dan sebaliknya. Tegangan gerbang tidak boleh positif. 

2. JFET kanal-P
Merupakan kebalikan dari JFET kanal-N. Pada FET ini gerbang dikemudikan dengan tegangan positif. Makin positif tegangan gerbang, arus cerat makin kecil.
Simbol:
3. MOSFET menghantar sendiri kanal-N.
MOSFET kependekan dari Metal Oxide Semiconductor FET. FET ini mempunyai sifat seperti JFET kanal-N, tetapi tegangan gerbang dapat dikemudikan baik negatif maupun positif. Makin negatif tegangan gerbang, arus cerat makin kecil. Sebaliknya makin positif tegangan gerbang, arus cerat makin besar. 

4. MOSFET menghantar sendiri kanal-P.
Merupakan kebalikan dari MOSFET menghantar sendiri kanal-N.
simbol:
5. MOSFET menyumbat sendiri kanal N.
Merupakan kebalikan dari MOSFET menghantar sendiri kanal N. FET ini dikemudikan dengan tegangan positif (tegangan muka maju). Makin besar. tegangan gerbang, makin besar arus cerat. Tegangan gerbang 0 V, kanal akan menyumbat (ID = 0). Supaya kanal menghantar diperlukan tegangan gerbang lebih besar dari 5 V. 

6. MOSFET menyumbat sendiri kanal-P.
Merupakan kebalikan dari MOSFET menyumbat sendiri kanal-N.
Simbol:
7. MOSFET menghantar sendiri kanal-N.
Memiliki dua gerbang (misalnya tipe BF 960). FET ini disebut juga ”tetroda FET" atau FET gerbang dobel (dual-gate FET).
Simbol:




1 comment: